根據(jù)國家發(fā)展改革委、國家能源局近日發(fā)布的《電力發(fā)展“十三五”規(guī)劃》，將加快充電設(shè)施建設(shè)，促進電動汽車發(fā)展，2020年充電設(shè)施將可滿足國內(nèi)超過500萬輛電動汽車的充電需求。
“十三五”期間，我國將以用戶居住地停車位、單位停車場、公交及出租車場站等配建的專用充電設(shè)施為主體，以公共建筑物停車場、社會公共停車場、臨時停車位等配建的公共充電設(shè)施為輔助，以獨立占地的城市快充站、換電站和高速公路服務(wù)區(qū)配建的城際快充站為補充，推動電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施體系加快建設(shè)。
2020年，我國將新增集中式充換電站超過1.2萬座，分散式充電樁超過480萬個，基本建成適度超前、車樁相隨、智能高效的充電基礎(chǔ)設(shè)施體系，滿足國內(nèi)超過500萬輛電動汽車的充電需求。
此外，從節(jié)能減排、大氣治理的角度，根據(jù)規(guī)劃，將推進集中供熱，逐步替代燃煤小鍋爐，在風能、太陽能、生物質(zhì)能等可再生能源資源富集區(qū)，因地制宜發(fā)展風電供暖、太陽能光熱電聯(lián)供、生物質(zhì)熱電聯(lián)產(chǎn)等新能源供熱應(yīng)用。
規(guī)劃稱，到2020年，實現(xiàn)北方大中型以上城市熱電聯(lián)產(chǎn)集中供熱率達到60%以上。
碳化硅單晶切割技術(shù)研究
碳化硅單晶材料是第三代寬禁帶半導體材料的代表，對電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到強有力的支 撐。晶片加工技術(shù)是器件生產(chǎn)的重要基礎(chǔ)和基本保證，任何具有優(yōu)異特性的材料只有在成功有效的加工技術(shù)下才能發(fā)揮實際效能。本文介紹了切割工藝，通過工藝實驗及對實驗結(jié)果的分析，確定了切割工藝參數(shù)。
碳化硅單晶材料以其優(yōu)良的性質(zhì)，可以實現(xiàn)半導體照明，提高光存儲密度，改善裝備性能，具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域及廣闊的應(yīng)用前景。依據(jù)器件的使用，要求碳化硅單晶拋光片要有高的表面質(zhì)量：表面光滑、表面粗糙度低、無缺陷、無損傷，TTV、Warp等表面參數(shù)優(yōu)良。晶片加工技術(shù)是器件生產(chǎn)的重要基礎(chǔ)和基本保證，任何具有優(yōu)異特性的材料只有在成功有效的晶片加工技術(shù)的支持下才發(fā)揮*大的價值，即便有高質(zhì)量的碳化硅單晶，若沒有相匹配的加工技術(shù)和手段也無法實用化。碳化硅材料加工質(zhì)量和精度的優(yōu)劣，直接影響到其器件的性能，比如當晶片表面有微小缺陷時，會遺傳給外延生長膜而成為器件的致命缺陷。依據(jù)應(yīng)用需要，碳化硅單晶拋光片加工技術(shù)已成為我們必須解決的重要問題。
對于該材料的加工難度十分大，主要體現(xiàn)在：(1)硬度大，碳化硅單晶材料莫氏硬度分布在9.2～9.6之間，僅僅比金剛石的硬度低0.5左右;(2)化學穩(wěn)定性高，幾乎不與任何強酸或強堿發(fā)生反應(yīng)，室溫下，它能抵抗任何已知的酸性腐蝕劑;(3)加工機理的研究欠缺，碳化硅材料是新一代半導體材料，大量的問題尚未被發(fā)現(xiàn)，機理研究十分欠缺;(4)加工設(shè)備相對落后，加工設(shè)備是材料超精密加工的基礎(chǔ)，先進的自動化程度高的關(guān)鍵加工設(shè)備多數(shù)從國外進口，國內(nèi)對加工設(shè)備的研究比較落后，特別是在設(shè)備設(shè)計、制造觀念，加工精度、設(shè)備材質(zhì)等方面與國外存在極大的差距。
碳化硅材料有其他半導體材料無可比擬的優(yōu)勢，從表1的對比可以看出碳化硅材料工作溫度、擊穿電場強度、熱導率等技術(shù)參數(shù)明顯高于Si、GaAs等半導體材料。
對于碳化硅材料加工技術(shù)，晶體切割是十分關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，對晶片質(zhì)量起決定性作用。目前，國內(nèi)主要依靠自身技術(shù)力量來解決碳化硅單晶拋光片的需求問題，盡快提高碳化硅晶體拋光片的幾何參數(shù)和表面質(zhì)量，實現(xiàn)碳化硅晶體拋光片的實用化，對我國碳化硅基新型電子元器件的發(fā)展意義重大。
1實驗
晶體切割工藝是碳化硅單晶材料加工過程中 關(guān)鍵工藝之一，晶體切割的優(yōu)劣直接影響后面工藝的加工質(zhì)量和加工效率。如TTV、 Warp等問題，主要是由切片工藝引起的。若切片的TTV和Warp較大，會給后面工序的加工造成很大困難，甚至使晶片報廢;若在晶體切割過程中，造成了很深的劃痕，在以后的研磨、拋光工藝過程中得花費很多時間和精力才能消除。碳化硅單晶切割的實驗設(shè)備：StruersAccu-tom-50型外圓切割機(如圖1所示);主要原材料：碳化硅單晶、金剛石刀片。通過工藝實驗，進一步分析各工藝條件對切割質(zhì)量的影響，確定*佳切割工藝條件。
2 結(jié)果與討論
2.1晶體推進方式的選擇
在切割工藝中，晶體的推進方式主要分為平推、擺動、旋轉(zhuǎn)三種方式，對于具有高硬度、高耐磨特性的碳化硅晶體來說，選擇合適、合理的晶體推進方式至關(guān)重要，因為這將直接影響單晶切割的成敗與質(zhì)量。
2.1.1平推方式
傳統(tǒng)的半導體材料如硅、鍺等在使用外圓或內(nèi)圓切割時均采用平推方式，該方式比較簡單，傳動系統(tǒng)相對比較穩(wěn)定。此類材料與碳化硅材料相比，雖然都屬于硬脆材料，但硬度相差很大，不在同一數(shù)量級。依據(jù)碳化硅單晶固有的特性，采用平推方式切割存在一定的弊端：
(1)切割刀片是圓形，在切割開始時刀片與晶體的接觸為一點，隨著切割的深入，切割面逐漸成為弧線，這樣導致切割阻力增加，切割刀片的負載加大;另外，隨刀片切割進程的增加，刀片的冷卻和潤滑十分困難，使得刀片溫度增加，可能導致切割失敗;
(2)切割直徑與刀片的直徑有直接關(guān)系，當采用平推方式時切割直徑小于刀片半徑，特別是到切割后期，刀片幾乎全部沒入晶體內(nèi)，刀片的徑跳、端跳等現(xiàn)象會相對“放大”容易造成晶片損傷，直接影響加工質(zhì)量。
2.1.2擺動方式
該方式是在設(shè)定角度下往復旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)角度一般在5°~20°之間。采用該方式切割時，與平推方式相比，增加了旋轉(zhuǎn)，切割阻力相對減小，但在切割后期刀片的徑跳、端跳控制及冷卻和潤滑都十分困難，切割難度增加。
2.1.3旋轉(zhuǎn)方式
采用該方式切割時將晶體與刀片保持逆向旋轉(zhuǎn)，使切割始終保持在一個“點”上進行，這樣可使切割阻力減小;另外，旋轉(zhuǎn)切割可使切割直徑增大1倍，因為在采用旋轉(zhuǎn)方式時切割點逐漸向晶體中心靠攏，*后結(jié)束在晶體中心部分，也就是說進刀量在保持晶體半徑長度時就可以切割出一片晶片。采用該方式既可以提高加工效率，又能夠延長刀具壽命，保證切割的順利進行。通過以上三種方式的比較，對于碳化硅這種高硬度的特殊晶體，采用旋轉(zhuǎn)方式切割*為科學合理。
2.2刀片轉(zhuǎn)速控制
在切割過程中，切割刀片轉(zhuǎn)速的控制十分重要，通過理論和工藝試驗結(jié)果分析可知：轉(zhuǎn)速過低時，切割效率低，極易造成切割表面損傷，使得切割表面質(zhì)量差;轉(zhuǎn)速過高時，切割效率高，在切割初期切割表面質(zhì)量好，但切割后期表面質(zhì)量逐漸變差。通過分析可知，當?shù)镀D(zhuǎn)速過高時，對刀片質(zhì)量要求也十分高，因為切割時刀片損毀速度過快，當?shù)镀|(zhì)量與切割轉(zhuǎn)速不相匹配時就造成了晶片的表面質(zhì)量和幾何參數(shù)的下降，因此選擇合適的切割轉(zhuǎn)速對切割質(zhì)量和切割的成敗至關(guān)重要。試驗數(shù)據(jù)如圖2所示，通過試驗我們選擇切割轉(zhuǎn)速在2400~2800r/min范圍內(nèi)，在這個范圍內(nèi)晶片的切割質(zhì)量較好。
2.3切割速度對晶片幾何參數(shù)的影響
切割速度的快慢直接影響晶片TTV、Bow指標的好壞。切割速度理論上越快效率越高。但若切割速度過快，會產(chǎn)生刀片彎曲，從而影響切割片的幾何參數(shù)。另外，如果切割速度太快將會造成刀片過度磨損，*終影響切割片的質(zhì)量。因此，針對硬度過高的碳化硅晶體，切割進給速度應(yīng)保持在相對低的水平上，切割質(zhì)量反而會提高。通過工藝試驗得出切割速率與TTV及刀片使用壽命關(guān)系圖，如圖3所示，結(jié)果表明，切割速度在8μm/s以下時， 晶片的TTV會下降到20μm以下，刀片壽命也會延長到4h左右。
3結(jié)論
碳化硅晶體硬度很大，傳統(tǒng)的切割方法、切割設(shè)備、 切割刀具以及切割工藝參數(shù)不能適應(yīng)，通過工藝研究確定*佳的工藝。在碳化硅晶體切割時，刀片轉(zhuǎn)速、 切割速度是*主要的工藝參數(shù)，它們將直接影響切割晶片的表面質(zhì)量，通過工藝實驗研究確定切割轉(zhuǎn)速：2400~2800r/min，切割速度小于8μm/s。